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行业新闻  

明年下旬提供28奈米HKMG制程量产服务

文章来源:最新采集     发布时间:2009/4/22 8:52:49  【关闭】
半导体市场景气回温,台积电、联电、特许等晶圆代工厂今年将投入数亿美元资本支出,投入28奈米高介电金属闸极(high-k/metalgate,HKMG)技术竞赛。而在台积电及联电去年相继宣布32及28奈米HKMG制程完成良率验证后,以IBM为首的通用平台(CommonPlatform)也宣布明年下旬提供28奈米HKMG制程量产服务。

许多芯片大厂在不景气时期加速了制程微缩速度,包括高通(Qualcomm)、英伟达(NVIDIA)、超威、赛灵思(Xilinx)、阿尔特拉(Altera)等国际大厂,45及40奈米制程新订单已于今年第二季下旬,陆续在台积电、联电、特许等晶圆代工厂投片量产。由于芯片厂通常会在新一世代制程投片量产时,开始与代工厂商合作下一世代的新制程研发,所以晶圆代工厂已经正式进入了32及28奈米技术竞赛。

以IBM为首的通用平台,已经与三星、特许、英飞凌、Globalfoundries、意法半导体等平台成员共同合作,在去年底开发出32奈米HKMG制程后,昨日再宣布成功发开出28奈米HKMG技术。IBM方面表示,3月已开放客户取得相关设计资源,希望明年下旬就可量产,客户
可以在不更改32奈米设计的情况下,直接微缩导入28奈米世代。

联电在去年10月底成功产出第一个全功能28奈米制程SRAM(静态随机存取内存)芯片后,同时完成了28奈米SRAM工作芯片与HKMG制程实体验证上的成功,联电规划2010年下旬推出32及28奈米HKMG技术。

至于龙头大厂台积电在32及28奈米的进度较快,去年第三季底时已宣布,将28奈米制程定位为全世代(fullnode)制程,同时提供HKMG及氮氧化硅(SiON)材料等两种选择。台积电现在已经提供客户28奈米晶圆共乘服务(CyberShuttle),供客户开始进行产品试制,正式量产时间约在2010年第一季。
 
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