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RFMD新款GaAS低噪放大器用于移动基础设施

文章来源：最新采集发布时间:2006/6/23 9:54:31 【关闭】

针对GSM、CDMA、UMTS、EDGE及WiMAX空中接口标准，RFMD日前新发布了5款RF386x系列的砷化镓(GaAS) pHEMT低噪声放大器(LNA)样品。这些LNA产品目前已开始为主要手机基础建设及WiMAX基站OEM客户提供样品，并预计2006年9月上市。

5款新组件型号分别为RF3861、RF3863、RF3865、RF3866及RF3867，可提供380～3,800MHz频率范围、低噪声指数(0.7dB)及多样化的LNA组态(单级、双级及双通道)，这些放大器提供具弹性的供应电压(2.5V至6.0V)、高增益(达30dB)、高输出IP3(达+38dBm)以及良好的输入及输出回授损失。

RFMD的LNA产品采用低成本小型(5×5mm)塑料QFN封装。该公司表示，这些LNA整合了高线性WCDMA UMTS及OFDM WiMAX模块标准所需的频宽及效能，藉由减少外部匹配组件，客户将能针对多样化的无线架构应用最佳化此组件，包括CDMA、PCS、DCS、UMTS、WLAN及WiMAX等。

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