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韩国厂商KEC获Vishay MOSFET芯片专利

文章来源：最新采集发布时间:2006/6/30 8:06:02 【关闭】

分立元器件制造商KEC公司日前表示，已购买Vishay Siliconix与MOSFET相关的芯片专利和技术。KEC表示，这将使其成为第一家生产沟道MOSFET的韩国厂商，它将在其Gumi工厂生产晶体管。Vishay Siliconix是低电压功率MOSFET的主要生产商。KEC拒绝透露此次为购买专利向Vishay支付的费用。

KEC表示，计划7月在Gumi工厂利用0.5微米设计规范批量生产6英寸晶圆。这些晶圆也将被用于生产沟道式MOSFET和CMOS IC。

据介绍，Gumi工厂最初6英寸晶圆产能为5000个。KEC计划额外投资1.05亿美元，在2010年把该厂的月产能扩大至30000个6英寸晶圆，采用0.3微米工艺技术。此外，KEC计划把低电压MOSFET的年销售额在2010年提高到1.58亿美元。

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