| 全球电子设计创新领先企业 Cadence 设计系统公司今天宣布，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”）采用了 Cadence(R) Litho Physical Analyzer 与 Cadence Litho Electrical Analyzer，从而能够更准确地预测压力和光刻差异对65和45纳米半导体设计性能的影响。Cadence Litho Electrical Analyzer -- 半导体行业第一个用于各大领先半导体公司从90到40纳米生产中的DFM电气解决方案 -- 与 Cadence Litho Physical Analyzer 结合，形成了一个能精确预测最终硅片结果的流程。 此前单个单元和库的电气行为可在一个单独的环境中进行预先标示，该单独环境在给定的、基于目标制程技术的设计中使用时可保持一致性。在65及更小纳米，单元的每次放置都产生了自己的一套物理和电气差异，这些差异与邻近的单元或环境有关。这种“与环境有关的差异”已成为关键的问题，可导致芯片设计失败。Cadence Encounter(R) Digital Implementation System (EDI) 无缝地整合了 Litho Physical Analyzer 与 Litho Electrical Analyzer，可在全芯片实现之前进行严苛的、与环境有关的单元物理与电气签收。该流程利用了模型化的物理与电气可制造性 (DFM) 技术，可提高标准单元库、知识产权 (IP) 核、及全芯片的品质和可靠性，从而提高完整芯片的制造成品率。
“在65和45纳米上必须解决物理和电气差异，这需要一种整体性的方法，它要始于单元级别，并考虑到设计的整个环境，”中芯国际设计服务中心副总裁刘明刚表示，”通过 Cadence 的 DFM 流程，我们能够分析单元和 IP 差异，并能对它们在真实硅片中的性能进行精确建模。 通过标示和减少差异，我们的客户将能减少防护带并制出更高品质的硅片。该解决方案还能实现近线性可扩展性，而这对于全芯片电气 DFM 验证流程来说是必需的。
Cadence 已开发出业界最完整的设计侧 DFM 预防、分析和签收方法学之一，并包括 Encounter Digital Implementation System 设计侧优化。它也被用于32和28纳米库的差异建模。“快速、精确、与环境有关的单元光刻与压力效应差异建模，对实现65纳米及以下节点实现有价值生产设计非常关键，”Cadence 实现集团研发副总裁徐季平表示。“众多一次硅片成功已证明了高容量半导体设计 DFM 分析工具的价值。” |
