| 电子信息技术的高速发展对电子材料及元器件技术不断提出新的要求，推动其产品升级换代。我国电子材料业经过“十五”期间的发展，在各个领域取得了一定的成效，为“十一五”的发展奠定了良好的基础。
半导体、平板显示材料、无铅焊料需求增长
目前，电子元器件正进入以新型电子元器件为主体的时代，它将基本上取代传统元器件，由原来只为适应整机的小型化及其装配新工艺的要求，变成为满足数字技术、微电子技术发展所提出的特性要求。另一方面，新型电子元器件技术的发展体现了当代和今后电子元器件向多功能、数字化、模块化、智能化、绿色化等发展的趋势。
半导体硅材料大直径化趋势明显，200mm继续保持集成电路半导体市场需求的主流地位，300mm硅晶片发展十分迅猛。2005年，全球在300mm生产线设备上的投资额从2004年的130.3亿美元上升到2005年的184.1亿美元，占所有硅片生产设备投资总额的比例从55%上升到62%，产量中300mm硅片在全部硅片的比例已从2004年的12%上升到2005年的20%多，超过了1.5亿平方英寸，预计2006年将达到2亿平方英寸。
随着信息产业的快速发展，中国巨大市场需求的拉动，中国半导体、元器件产业连续多年增长速度位居世界首位。随着国内技术水平不断提高以及人才、资源方面的优势，国外材料制造业逐步向中国内地转移。特别是光伏产业的迅速发展，进一步刺激了多晶硅、单晶硅等基础材料需求量的不断增长，预计2006年国内多晶硅的需求量将超过3000吨。四川新光硅业科技有限公司等企业千吨级多晶硅生产线的建设或投产，将有助于缓解供需紧张的局面。
中国半导体集成电路、光伏产业2006年年增长率在30%以上，虽然国际市场对4英寸、5英寸、6英寸硅片的需求在下降，但中国的生产还会持续多年，预计未来几年小尺寸硅单晶的年产量仍在2500吨左右，8英寸、12英寸硅片产量将提升，逐步形成2～3个满足100nm-45nm线宽集成电路需求的8英寸、12英寸硅抛光片和外延片的高技术产业基地；将建设成6英寸～8英寸SOI、SiGe和应变硅材料产业化示范工程。
在平板显示用材料方面，未来几年电子信息领域将出现一个年产值2800亿美元以上的大型市场，这就是以平板显示为特点之一的新一代数字电视市场。而平板显示器件中材料成本占到较大的比例，预计国内LCD用基片玻璃需求量将达到3000万平方米/年(其中TFT需求为1600万平方米/年，TN、STN需求为1200万平方米/年)；LCD用彩色滤光片国内需求量将超过1000万平方米。由于这些产品利润相对较大，大力发展这些材料，将成为中国经济新的增长点。
欧盟RoHS及WEEE指令的陆续实施和我国《电子信息产品污染控制管理办法》的出台，半导体先进封装对无铅焊料的需求将持续增长，绿色环保技术升温，无铅化仍成为热点。同时，各企业制定相关应对措施，新型无铅化产品层出不穷，大量无铅材料被投入使用。中国年需求无铅焊料约为7万吨，占世界使用量的约35%，发展无铅焊料势在必行。
总之，2006年电子材料发展将持续稳步增长，尤其是多晶硅等基础材料受光伏产业的影响，增长迅速；而长期依赖进口的部分电子材料，将继续承受原材料涨价和较高的进口关税等压力。国内企业急需加强自主创新，掌握核心技术，重视自我技术的提升和自主知识产权的保护，加大高档电子信息材料规模化生产和品牌宣传，在机遇和挑战中发展壮大。
科研与新品开发取得新进展
去年，无铅焊料和绿色环保材料的开发取得了较大进展。在电子材料行业协会锡焊料分会的组织下，生产企业自投资金，研制了具有自主知识产权的锡银铜添加稀土元素的无铅合金焊料，已提供用户试用认定，并起草了无铅合金焊料的行业标准。无卤元素的封装材料和覆铜板材料在中科院化学研究所、东莞生益科技公司等覆铜板生产企业的开发也取得了一定突破。
中科院半导体所在研发半导体材料方面取得了一些科技成果，如：研究掌握了6英寸具有自主知识产权的大直径砷化镓单晶生长热场设计、生长控制及晶锭退火等技术，单晶重量达到5kg，晶体技术指标均达到同期国内领先、国际先进水平。同时开发了具有自主知识产权的2英寸～6英寸砷化镓开盒即用晶片的多线切割技术、超低损伤层的化学机械抛光技术等，晶片技术指标达到国际先进水平。发明了用透射偏振差分谱法测试砷化镓材料残余应力，此方法在国际尚属首创。在“GaN基倒装结构功率型LED及关键技术”方面，成功研制出GaN基倒装结构功率型蓝光、白光LED，综合指标在国内处于领先地位，部分指标超过2005年国际同类器件的技术指标。开发了一种光、电、热综合模拟的倒装结构LED的设计方法，在国际上首次提出并实现了一种具有热阻背孔结构过渡热沉的倒装功率型LED芯片，申请受理国际和国内专利各一项，连续12个批次(1个批次6片)的工程化研究，平均合格率达到80%。
通过长飞光纤光缆公司、浙江富通集团公司、江苏法尔胜公司的技术攻关，使中国在光纤预制棒产 |
