并已实现量产，新的Si8487DB和Si8497DBTrenchFET功率MOSFET现可提供样品。大宗订货的供货周期为十二周。
VishaiIntertechnology,日前。Inc.NYSE股市代号：VSH宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB扩充其MICROFOOTTrenchFETGenIII功率MOSFET家族。新的Si8497DB业内首款采用小巧的1mmx1.5mm外形尺寸的30V芯片级MOSFET目前市场上尺寸最小的此类器件；而Si8487DB1.6mmx1.6mm外形尺寸的30V芯片级器件中具有最低的导通电阻。
每平方英寸的硅片内装入了10亿个晶体管单元。这种最前沿的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺，VishaiTrenchFETGenIIIp沟道MOSFET使用了先进的加工工艺。把目前业内最好的p沟道MOSFET所能达到导通电阻降低了近一半。芯片级的MICROFOOT技术不但能节省空间，实现更小、更薄的终端产品，而且能够在给定的外形内使用更大的硅片。
MOSFET低导通电阻能够在负载开关上实现更低的电压降，Si8497DB和Si8487DB可在智能手机、平板电脑、销售点(POS设备和移动计算等手持设备中用于负载、电池和充电器的切换。笔记本电脑的电池管理电路中。从而减少欠压锁定问题的发生。平板电脑、智能手机和销售点设备的充电器中，低导通电阻意味着可以使用更大的充电电流，使电池充电的速度更快。
Si8487DB和Si8497DB为他提供了满足其特定应用需求的外形尺寸和导通电阻。对于小占用空间能够带来产品增值的场所，对于设计者。1.5mmx1mmSi8497DB同时具有0.59mm最大高度，以及4.5V2.5V和2.0V下53mΩ、71mΩ和120mΩ的低导通电阻。对于低导通电阻是重要考虑因素的应用，Si8487DB能在10V4.5V和2.5V下提供31mΩ、35mΩ和45mΩ的低导通电阻，0.6mm最大高度，以及此类p沟道功率MOSFET中最低的导通电阻值。
符合RoHS指令2002/95/ECSi8487DB与Vishai30VSi8409DB坚持引脚兼容。器件符合IEC61249-2-21无卤素规定。 |
