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中芯国际采用ARM物理IP 用于90纳米工艺 |
| 文章来源：最新采集
发布时间:2006/6/2 7:30:34 【关闭】 |
中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）和ARM公司共同宣布：中芯国际采用ARM Artisan物理IP系列产品中的ARM Metro低功耗/高密度产品和Advantage高性能产品，用于90纳米LL（低渗漏）和G（主流）处理工艺。
中芯国际设计服务副总裁Paul Ouyang表示：“同ARM的继续合作进一步加强了我们对客户的承诺：提供包括ARM高质量的、经芯片验证的物理IP在内的全面的制造发展蓝图。通过和ARM的合作，我们可以向90纳米工艺的客户提供ARM Metro 和 Advantage产品，帮助他们缩短设计时间、降低风险并加快产品上市速度。”
ARM Metro低功耗/高密度IP针对便携式电子产品作了优化；Advantage IP提供高速度低功耗的性能表现，能够满足诸多消费电子、通信和网络市场中的应用要求。Metro和Advantage产品都包括ARM标准单元库和多重存储编译器。Metro标准单元包括功耗管理工具套件，能够实现动态和耗散功率节省技术，例如时钟门控、多电压岛和功率门控。Metro存储编译器也提供类似的先进的功率节省特性。
Metro和Advantage IP包括ARM广泛的Views和模型集，提供和很多领先EDA工具的整合。这些Views在诸多运行条件下为Metro和Advantage产品提供功能、时钟和功率信息，从而使设计师可以实现复杂的电能管理系统，在他们的SoC中主动地控制动态和耗散功率。
ARM物理IP市场部副总裁Neal Carney表示：“中芯国际的先进技术发展蓝图继续为客户提供最适合目前SoC设计的执行方案。通过采用ARM Metro和Advantage产品，中芯国际的客户在消费电子、通信和网络应用中有了一个优化的物理IP选择。”
ARM Metro 和 Advantage IP设计Views预计将在2006年第四季度通过ARM网站向授权顾客提供免费下载。帮助客户开始设计和仿真工作的初步的“前端”设计Views预计将于2006年第二季度末上市。 |
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