| 推荐新闻 |
|
 |
|
|
|
| 视频信息 |
|
|
|
|
|
|
 |
行业新闻 |
|
飞兆半导体采用CSP封装的P沟道MOSFET策略 |
| 文章来源：最新采集
发布时间:2008/11/12 9:16:34 【关闭】 |
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1.5V额定电压PowerTrench®工艺设计，结合先进的WL-CSP封装，将RDS(ON) 和所需的PCB空间减至最小。这款P沟道MOSFET器件的侧高比标准P沟道MOSFET降低40%，可满足下一代手机、MP3播放器和其它便携应用的纤细外形尺寸要求。该器件具有低RDS(ON) (74mOhm typical @ -4.5V VGS)，能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能 (1.9W)。
FDZ391P丰富了飞兆半导体广泛的便携设计解决方案，这些方案是节省空间和延长电池寿命所不可或缺的。凭借飞兆半导体在功率管理、信号调节和先进封装领域的丰富经验，这些产品可让设计人员显著减小外形尺寸，并提供出色的热性能和电气性能以满足便携应用的需求。这些解决方案包括µSerDes™串化器/解串器、Intel liMAX™先进负载开关、USB开关、DC-DC转换器、逻辑电平转换器和许多其它功率管理及信号调节技术。FDZ391P采用无铅 (Pb-free) 端子，潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均满足欧盟有害物质限用指令 (RoHS) 的要求。
|
|
| |
| 上一篇：
世界首款LTE手机芯片问世 |
| 下一篇：
Q3智能手机市场增28% |
|
|
|
