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面向无线基站，RFMD推出GaN高功率晶体管系列

文章来源：最新采集发布时间:2006/6/17 9:27:11 【关闭】

RFMD公司日前推出氮化镓(GaN)高电子迁移率(HEMT)高功率晶体管系列，并且正在针对顶级无线基础设施及WiMAX基站客户进行送样。这些晶体管的送样代表了RFMD在0.5um线度GaN 高功率晶体管工艺方面取得的成就。

RFMD基础设施产品集团副总裁Jeff Shealy指出：“对于RFMD而言，基础设施市场是充分利用我们现有技术及制造专业技能的关键增长领域。凭借我们在GaN工艺技术方面取得的成就，我们将自身定位于为客户提供他们所需的高功率宽带解决方案，以满足他们以更低成本更有效地部

署下一代无线基础设施时日益增长的需求。”

RFMD创始人之一、首席技术官兼公司副总裁Bill Pratt强调：“对于依赖于最大程度地提高功率及效率的无线基础设施及WiMAX基站OEM 厂商而言，当与硅片LDMOS 器件相比时，RFMD的GaN晶体管具有更高的封装能力来适应阻抗匹配、更高的功率密度以及更高带宽的性能。此外，RFMD还是全球最大的GaAs晶圆制造商，并且通过利用我们北卡罗来纳、Greensboro总部的高量产制造环境，我们还能够实现独特的成本优势。”

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