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海力士研发出40纳米级记忆体芯片

文章来源：最新采集发布时间:2009/2/11 9:59:56 【关闭】

南韩海力士半导体公司（Hynix Semiconductor）日前宣布，已使用最细微技术研发出全球密度最高记忆体芯片。海力士这种崭新的“DDR3 DRAM”（DDR3动态随机存取记忆体）芯片采用的技术，能让内部线路相距仅40纳米，细微度是目前产品的1/5 。

海力士表示，这项新产品的生产效率较现有芯片提升50%，因为比现有制程耗费更少能源和成本。海力士说，将从今年第三季开始量产。

海力士发言人说：“海力士成为成功应用40纳米级技术至DDR3 DRAM芯片的全球首家厂商。研发出此新芯片，将有助于海力士在快速变迁的记忆体芯片市场继续维持领先地位。”

全球经济下滑严重打击记忆体芯片产业，由于全球需求剧跌，日本东芝公司（Toshiba）被迫减产，台湾多家主要厂商也寻求当局纾困。

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